[電晶體]Transistor hfe β Records 電晶體的Bata β值紀錄

最近又有新專題正規劃中，但受限於資源跟人力進度非常"緩慢"(汗)，期望夠漸入佳境壓，順利推出成品機，到時我會在通知大家，加緊腳步中><。

工作模式	接面偏壓特性 BE接面	BC接面	主要應用功能
順向主動區	順向	逆向	放大電路
逆向主動區	逆向	順向	邏輯及交換電路
飽和區	順向	順向	開關的ON
截止區	逆向	逆向	開關的OFF

當在畫類比電路圖時，很常會把電晶體當電流放大，比如說穩壓電路的輸出推動級，擴大電路的推動級，而推動電流Ic會受控於Ib。

如果沒有給電晶體的足夠的Ib的話，Ic會受限於電晶體的直流電流增益(gain)公式，hfe=β(dc) = Ic / Ib，公式左右移位後，Ic = β(dc) * Ib。

截止(Cutoff)：當Ib = 0，電晶體工作於截止區。基極端處於開路狀態，使得基極電流為 0，此時會有一個非常少量的洩漏電流Iceo，主要來自熱擾動所產生的載子。

飽和(Saturation)：當BE接面成為順向偏時，基極電流會增加，集極也會增加( Ic = β(dc)Ib )且Vce會減少。

電晶體hFE實測
(HILA DM-3000測量，hFE測量範圍0~1000，測試電壓<3.2V，測試電流Ib=實際12.2uA(規格書10uA))

ON MPS2222：
191

IF BC850C：
442

Philips BD139：
103

F MJE3055T：
144

Toshiba 2SC2240GR：
225

SANYO 2SC3807：
113

UTC 2N5551L：
123

BC337B：
299

Hitachi 2SD667：
235

Toshiba 2SC5171：
108

Toshiba 2SC4793：
154

ON MJE253G：
163

ON MJE243G：
101